数据列表 Nxx4153N;_
标准包装 3，000
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 -
其它名称 NTA4153NT1GOSTR
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 915mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 230 毫欧 @ 600mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 1.82nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 110pF @ 16V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 300mW（Tj）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SC-75，SOT-416
封装/外壳 SC-75，SOT-416
