数据列表 DMG1016UDW;_
标准包装 3，000
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
系列 -
其它名称 DMG1016UDW-7DITR
DMG1016UDW7
规格
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.07A，845mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 450 毫欧 @ 600mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 0.74nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 60.67pF @ 10V
功率 - 最大值 330mW
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装 SOT-363
